訂閱我們的納米技術聚光燈飼料一個接地模型工具包，用於預測新型內存的電流
電阻切換存儲器（RSM）是下一代存儲器和計算設備的新興候選者，例如存儲類存儲器設備，多級存儲器和神經形態計算中的突觸。全球研究努力實現更好的能源技術的重大挑戰是高效準確的設備建模。現在，研究人員創建了一種新的建模工具包，可以以極好的準確度預測新型內存的電流。
納米技術聚焦 - 最新文章
顯示聚光燈1 - 8的33.在類別中全部（新的先來）：
最薄的CD-RW
由於最近的創新研究，可以通過簡單的技術進行原子級數據存儲區域中的瓶頸。通過涉及聚焦激光束和臭氧處理的簡單，高效，低成本的技術，研究人員可以操縱納米材料的性質，從而“將”信息寫入單層材料上。結果是在原子水平上具有可重寫數據存儲和加密功能的最薄燈盤的演示。
量子界麵中的壓電能量吸收
研究人員已經開發了一種壓電理論，以增加量子計算機中的相幹時間。在新工作中，他們闡明了量子計算機中的能量吸收機製，並為這些設備推薦最佳材料。新理論預測了比現有技術的最新狀態超過100倍的Qubit相幹時間。這表明材料改進可以朝著提高量子計算裝置的質量進行長途措施，使量子優勢一步更近。
太陽能供電的智能灰塵
研究人員表明，使用高通量晶片級包裝工藝，在矽襯底上生長的灰塵尺寸的光伏電池可以與其他小芯片具有非均勻集成。將各種納米電子小芯片 - 如處理器，記憶和光伏集成的能力 - 在工業規模的晶圓級包裝過程中，解鎖具有高性能和超級成本的這些緊湊型集成係統的大規模製造的潛力。
在光線調諧的人工突觸中學習
正在進行巨大的努力來利用神經形態計算應用中的憶阻器設備，現在可以合理地想象一種具有非常低功耗（非易失性），超快速性能和高密度的新一代人工智能器件的開發一體化。在新的工作中，R Esearchers不僅能夠使用光對憶阻器的小切換效果，它們利用滲透納米顆粒形態，以大大增加當光線入射到設備上時電子阻力狀態之間的切換的大小。
新版本的內存可以電源AI電話，智能設備
首次，研究人員已成功開發了一種新版本的相變存儲器，可減少切換時間並允許存儲器單元產生出色的穩定性。新類型的相變存儲器可以像在手機中被視為發電人工智能（AI）的最先進的RAM芯片一樣快，並且它也可以用於為一係列其他智能設備供電。新版本的相變存儲器可以用廉價的過程製造：該過程使用常規電壓脈衝，不需要額外的特殊材料。
'Multiplex Number'作為非易失性電阻存儲器設備的新圖形
由於設備幾何形狀，易於製造和操作，可以設想電阻隨機存取存儲器（RRAM）作為下一代非易失性存儲器。高密度信息存儲的必要性及其在神經形態電路中的相關性具有很大的關注，並導致多級電阻切換（MRS）的多個存儲器狀態的開發。在最近的一項研究中，研究人員已經確定了一種新的宗旨，以確定具有多個存儲器狀態的電阻切換設備的效率。這將協助研究和技術專家分類和決定他們的記憶設備的真實優點。
印刷紙內存
似乎計算機內存技術即將到來。先驅在19世紀初，如查理貝葉比比，首先建議使用紙質記憶（盡管非電子），其中一點被存儲為紙卡中的孔的存在或不存在。今天，最先進的研究再次提出紙張作為存儲器設備的使用。這一次，雖然他的紙可能非常相似，但是鑽頭不是粗糙的衝孔孔，而是納米製造裝置結構。在新工作中，研究人員展示了一種基於紙張的非易失性存儲器件。它們與噴墨和絲網印刷的組合合並，以製造商業印刷紙上的電阻RAM存儲器單元。