訂閱我們的納米技術重點報道一個突破性的建模工具包，以預測新類型的存儲器的電流
電阻開關存儲器(RSM)是下一代存儲器和計算設備的新興候選，如存儲級存儲器設備，多層存儲器和神經形態計算中的突觸。在全球研究更好的能源技術的一個重大挑戰是高效和準確的設備建模。現在，研究人員已經創建了一種新的建模工具包，可以非常準確地預測一種新型存儲器的電流。
納米技術焦點-最新文章
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最薄的CD-RW
由於最近的創新研究，原子級數據存儲領域的瓶頸可能被一種簡單的技術打破。通過一種簡單、高效和低成本的技術，包括聚焦激光束和臭氧處理，研究人員可以操縱納米材料的特性，從而將信息“寫入”單層材料。其結果是在原子級別上展示了具有可重寫數據存儲和加密功能的最薄的光盤。
量子界麵中的壓電能量吸收
研究人員開發了一種壓電理論，目標是增加量子計算機的相幹時間。在新的工作中，他們闡明了量子計算機中發生的能量吸收機製，並為這些設備推薦了最佳材料。新理論預測的量子比特相幹時間比目前的技術水平高出100多倍。這表明，材料改進對提高量子計算設備的質量有很大幫助，使量子優勢更接近一步。
太陽能智能粉塵
研究人員證明，在矽襯底上生長的灰塵大小的光伏電池可以使用高通量晶圓級封裝工藝與其他芯片異質集成。在工業規模的晶圓級封裝工藝中集成各種納米電子芯片(如處理器、內存和光伏)的能力，釋放了這些具有高性能和超低成本的緊湊集成係統大規模製造的潛力。
光調節的人工突觸中的學習
在神經形態計算應用中使用憶阻器器件正在進行巨大的努力，現在可以合理地想象開發具有極低功耗(非易失性)、超快速性能和高密度集成的新一代人工智能器件。在新的工作中，研究人員不僅能夠利用光在憶阻器中實現微小的開關效應，他們還利用了一種類似於滲透的納米顆粒形態，在光照射到器件時極大地增加了電子電阻狀態之間的開關強度。
新版本的內存可以為人工智能手機和智能設備供電
研究人員首次成功開發了一種新版本的相變存儲器，減少了開關時間，並使存儲單元產生出色的穩定性。這種新型相變存儲器的速度可以與最先進的RAM芯片一樣快，目前正在考慮為手機中的人工智能(AI)提供動力，它也可以用於為一係列其他智能設備提供動力。新版本的相變存儲器可以用一種廉價的工藝來製造:該工藝使用正常電壓脈衝，不需要額外的特殊材料。
“複用數”作為非易失性電阻存儲器器件的一種新的性能指標
電阻式隨機存取存儲器(RRAM)由於其簡單的幾何結構、易於製造和操作，被認為是下一代非易失性存儲器。高密度信息存儲的必要性及其在神經形態電路中的相關性得到了廣泛的關注，並導致了用於多種存儲狀態的多級電阻開關(MRS)的發展。在最近的一項研究中，研究人員定義了一種新的性能指標，以識別具有多種存儲狀態的電阻開關器件的效率。這將有助於研究人員和技術人員分類和決定他們的存儲設備的真正優點。
打印紙存儲器
看來計算機存儲技術又回到了原點。19世紀早期的先驅，如查爾斯·巴貝奇(Charles Babbage)，首次提出使用紙質存儲器(盡管是非電子存儲器)，用紙卡上是否有洞來存儲位。今天最先進的研究再次提出將紙張用作記憶設備。這一次，雖然他的紙可能非常相似，但比特不是粗糙的穿孔，而是納米製造的設備結構。在新的研究中，研究人員展示了一種基於紙張的非易失性存儲設備。他們使用噴墨和絲網印刷相結合的方法在商業印刷紙上製造電阻性RAM存儲單元。