| 2022年6月27日 |
二維材料是非易失性存儲器技術的重大飛躍（Nanowerk新聞非易失性存儲器——即使斷電也能保留信息——廣泛應用於電腦、平板電腦、筆驅動和許多其他電子設備。在各種現有技術中，磁阻隨機存取存儲器(MRAM)目前隻用於特定的應用，預計在未來十年將在市場上大幅擴展。 |
| 基於自旋電子機製的最新MRAMs。自旋是電子和其他粒子的固有屬性，與自旋有關的現象可以提供更快的操作、更低的功耗和更長的保持時間，在可穿戴設備、汽車工業和物聯網等方麵具有潛在的應用前景。 |
| 在這種情況下，石墨烯和其他二維材料這種薄膜隻有一個或很少的原子層，可能會發揮破壞作用。事實上，它們獨特而顯著的特性可以為當前阻礙進一步有效部署MRAMs的技術挑戰和性能限製提供解決方案;因此，它們可以對下一代自旋電子器件的設計產生很大的影響。 |
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| 二維材料是非易失性存儲器技術的重大飛躍。 |
| 在上周發表的一篇觀點文章中，提出了將二維材料引入自旋存儲技術所帶來的預期增強和新機會自然（非易失性自旋電子存儲器的二維材料展望）. |
| 這項工作由加泰羅尼亞納米科學和納米技術研究所(ICN2)在Autònoma de Barcelona (UAB)校園和新加坡國立大學領導，提供了該領域的藝術現狀和當前非易失性存儲器發展麵臨的挑戰的概述，特別是那些使用自旋電子機製，如自旋轉移扭矩(STT)和自旋軌道扭矩(SOT)。 |
| 作者討論了二維材料協整技術在這些技術中所帶來的優勢，給出了已經取得的改進的全景，以及進一步研究可以產生的許多進展的前景。還列出了今後十年可能取得進展的時間表。 |
| ICREA教授Stephan Roche是ICN2的組長，也是致力於自旋電子學的石墨烯旗艦工作包的負責人，他評論說:“正如論文中徹底討論的那樣，二維材料的基本特性，如原子平滑界麵、減少材料混合、晶體對稱性和鄰近效應，是基於自旋的MRAMs可能的破壞性改進的驅動因素。”這些正在成為關鍵的低功耗技術，預計將在從嵌入式存儲器到物聯網的大型市場上擴散。” |
| 這項研究是由ICN2小組領導和ICREA教授，Stephan Roche教授和Sergio O. Valenzuela教授，以及新加坡國立大學的Hyunsoo Yang教授協調完成的。它是由石墨烯旗艦項目聯盟的多個成員合作進行的，包括國家科學研究中心(CNRS，法國)、Imec(比利時)、泰雷茲研究與技術(法國)和法國原子能委員會(CEA)的各個研究所，以及三星電子(韓國)和全球鑄造廠(新加坡)等關鍵行業，它們帶來了未來市場整合的願景。 |
| “觀察自旋電子學工作包和在Imec環境中開展的技術活動所取得的科學成果令人印象深刻，與sme (Singulus Technologies, GRAPHENEA)一起，為未來對市場應用的影響鋪平了道路，”石墨烯旗艦項目主任Jari Kinaret教授說。“要在現實生活中充分發揮2D材料的潛力，仍有許多挑戰需要克服，但預期的工業和經濟效益非常高。” |
