使黑暗的半導體發光

    ((Nanowerk新聞)由奧爾登堡大學(University of Oldenburg)的科學家領導的國際研究團隊成功地操縱了超薄樣本中的能量水平結構,以至於通常具有低發光產量的半導體開始發光。
    固體是否可以發出光,例如作為發光二極管(LED),取決於其晶格中電子的能級。由奧爾登堡大學物理學家Hangyong Shan博士和克裏斯蒂安·施耐德(Christian Schneider)博士領導的國際研究人員團隊成功地在半導體鎢二烷基的超薄樣本中操縱了能量水平的結構,以這種方式,這種材料通常是這種材料,通常這種材料通常發光產量低,開始發光。
    該團隊現在在《期刊》上發表了有關其研究的文章自然通訊((自然通訊,,,,“通過在腔中強烈的光耦合來對黑暗單層半導體進行亮度”)。
    在具有各種光學組件的極薄半導體樣品上閃耀激光光
    在他們的實驗中,物理學家將激光將激光轉向具有各種光學成分的極薄半導體樣品。(圖片:奧爾登堡大學)
    根據研究人員的說法,他們的發現構成了通過光場控製物質特性的第一步。施耐德說:“這個想法已經討論了多年,但尚未令人信服地實施。”
    光效應可用於優化半導體的光學特性,從而有助於創新LED,太陽能電池,光學組件和其他應用的發展。特別是可以通過這種方式增強有機半導體的光學特性 - 在柔性顯示器和太陽能電池中使用的半導體特性或用作紡織品傳感器的塑料。
    Dungsten diselenide屬於一類不尋常的半導體類別,該半導體由過渡金屬和三個元素硫,硒或櫃子組成。在他們的實驗中,研究人員使用了一個樣品,該樣品由帶有三明治結構的單一晶層和硒原子組成。
    在物理學中,此類材料(僅少數原子厚)也稱為二維(2D)材料。它們通常具有不尋常的特性,因為它們所包含的電荷載體與較厚固體完全不同,有時也稱為“量子材料”。
    由Shan和Schneider領導的團隊在兩個專門準備的鏡子之間放置了Dungsten duselenide樣品,並使用激光激發了材料。通過這種方法,他們能夠在光顆粒(光子)和激發電子之間創建耦合。
    施耐德解釋說:“在我們的研究中,我們證明,通過這種耦合,可以重新排列電子過渡的結構,從而使深色材料的行為像明亮的材料一樣。”“我們的實驗中的效果是如此強烈,以至於下端杜鬆子化的下部狀態變得光學活躍。”
    該團隊還能夠證明實驗結果在高度上與理論模型的預測相匹配。
    資料來源:奧爾登堡大學
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